狄拉克半金属高速载流子注入导致的斯格明子磁化动力学
材料科学
2024-08-21 v3
摘要
自旋结构特别是斯格明子磁化动力学的最新进展，为磁存储技术和自旋电子学提供了有希望的新方向。斯格明子以其拓扑保护特性和低电流密度下的高效移动性而闻名，其在下一代逻辑和存储器件中的潜在应用日益受到认可。本研究探讨了斯格明子磁化动力学，重点关注通过修正的 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程（LLG）操控其拓扑态作为按位数据存储的基础。我们引入了来自拓扑铁磁体的自旋极化电子，其诱发的电偶极矩与斯格明子畴内的电规范场相互作用。这种相互作用产生了一个有效磁场，导致一个能够动态改变斯格明子拓扑态的力矩。具体而言，我们表明这些力矩可以选择性地破坏和创建斯格明子，有效地实现比特的写入和擦除，突显了利用受控电子注入实现稳健且可扩展的基于斯格明子的数据存储解决方案的潜力。
引用
@article{arxiv.2405.08516,
title = {Magnetization dynamics in skyrmions due to high-speed carrier injections from Dirac half-metals},
author = {Satadeep Bhattacharjee and Seung-Cheol Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.08516},
year = {2024}
}