倾斜场中的斯格明子：通向新型二进制与四进制存储器的路径

我们提出一种基于方形磁岛中倾斜场诱导的斯格明子态的新型二进制与四进制存储器件。为描述斯格明子的稳定态和动力学，我们采用使用真实材料参数并考虑所有相关相互作用的晶格模型。根据场的取向，在倾斜场中会出现两个或四个空间分离的能量极小点。极小点之间的能垒可通过磁场的强度和取向调控。我们研究斯格明子的动力学，表明其可通过施加场梯度在任何两个态之间移动。厚度为数十原子层的磁岛允许在室温下操控所提出的器件。