Cu$_2$OSeO$_3$ 中的多畴斯格明子晶格态

手性磁体中的磁性斯格明子是纳米尺度、受拓扑保护的磁化涡旋，是自旋电子学记忆载体的有希望的候选者。因此，在材料表面层次观测和操控斯格明子态对于未来应用至关重要。在此，我们报告了一种在 Cu$_{2}$OSeO$_{3}$ 单晶表面附近可控地创建多畴斯格明子态的方法，并通过软共振弹性 X 射线散射进行了观测。该技术是探测 $3d$ 金属化合物 $L_{3}$ 吸收边磁序的理想工具，具有约 ${\sim}50$ nm 的深度灵敏度。通过沿偏离主要立方轴的方向施加磁场，可以打破单畴六重对称斯格明子晶格，形成畴结构，从而克服立方各向异性所施加的传播方向。我们的发现为在表面局部或在单个斯格明子层面上操纵和设计斯格明子态开辟了新途径，这将使未来的应用成为可能。