McMillan 方程中等离子体激元对库仑赝势 $\mu^*$ 的影响

我们考察了应用于重掺杂半导体超导性的 McMillan 方程中的库仑赝势 $\mu^*$。基于第一性原理计算的系统计算表明，$\mu^*$ 应被视为依赖于半导体载流子密度 $n$ 的变量，尽管通常认为其约为 0.1 的常数。为阐明 $\mu^*$ 的 $n$ 依赖性，我们结合第一性原理计算结果与实验结果，对 McMillan 方程反解求得 $\mu^*$。结果表明 $\mu^*$ 随 $n$ 减小，并在 $n \sim 5 \times 10^{-21}[{\rm cm^{-3}}]$ 以下变为负值。这一降低可由等离子体激元效应解释，该效应可能在重掺杂半导体等低载流子系统的超导性中发挥重要作用。