近似相中的平面缺陷：以Cu-Al-Sc合金为例
材料科学
2021-11-17 v2
摘要
利用电子显微镜和六维分析方法研究了Cu-Al-Sc 1/1近似相中形成的{110}平面缺陷。作为该平面缺陷的位移矢量，提出了1/2 <{\tau}, 1/{\tau}, 0>，其中{\tau}表示黄金比。该矢量对应于[111000]型的六维平移，也对应于Tsai型簇的c连接。参考规则1/1近似相的结构性质（即截角三十面体骨架与内嵌簇），构建了该平面缺陷的原子结构模型。通过观测与模拟的HAADF-STEM图像之间的一致性验证了该结构模型。还提出了两个平面缺陷相交以及三个平面缺陷相交的三重点的模型。这些缺陷处形成的所有局域结构均可通过所谓的规范胞砌块（canonical cell tiling）概念来理解。
引用
@article{arxiv.2108.03341,
title = {Planar defect in approximant: the case of Cu-Al-Sc alloy},
author = {Tsutomu Ishimasa and Yeong-Gi So and Marek Mihalkovič},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.03341},
year = {2021}
}
备注
31 pages including 4 tables and 14 figures