含杂质半导体中的压电电子-声子相互作用：二维电子与复合费米子
介观与纳米尺度物理
2009-10-30 v1
摘要
我们发展了一种统一处理二维电子与体声子之间压电耦合的方法，涵盖零磁场和强磁场两种情况，后者对应于偶数分母填充因子。与通过形变势耦合的情况不同，由杂质重整化电子-声子顶点引起的主要贡献不会被非弹性电子-杂质散射过程精确抵消。我们计算了实际 异质结中的电子能量弛豫时间、电导率的扩散修正以及热电子声子发射率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9705254,
title = {Piezoelectric electron-phonon interaction in impure semiconductors: 2D electrons versus composite fermions},
author = {D. V. Khveshchenko and Michael Reizer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9705254},
year = {2009}
}
备注
12 pages, Latex, Nordita report