声子耦合电子隧穿的两种与三维隧穿配置
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
我们处理了通过真实的电子-声子相互作用（变形势和 piezoelectric 效应）耦合的隧穿电子，涉及二维或三维隧穿配置。利用声子系统相对于电子隧穿的缓慢性质，并采用虚时间 Green 函数方法，能够计算耦合声子对隧穿概率的影响。使用标准重整化程序表明，与一维情况不同，二阶扰动理论足以处理变形势耦合，导致对传输系数前因子的一个小修正。在 piezoelectric 耦合情况下，该耦合与 piezoelectric 极子问题紧密相关，需要考虑顶点修正。通过求和主要的对数项，我们表明 piezoelectric 耦合会导致传输系数的显著变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9912427,
title = {Phonon-Coupled Electron Tunneling in Two and Three-Dimensional Tunneling Configurations},
author = {E. Pazy and B. Laikhtman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9912427},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 4 figures