氧化石墨烯中π键主导的能隙
材料科学
2015-12-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
采用第一性原理计算研究了氧浓度从1%到50%的氧化石墨烯的化学键合。能隙主要由C-C、O-O和C-O键中的轨道杂化竞争决定。它们对氧浓度和分布的变化非常敏感。从完全吸附到吸附消失的变化过程中存在五种类型的键，即完全终止、部分抑制、一维键合、变形平面键合和良态键合。它们可以解释有限能隙和无间隙特性，分别对应氧浓度>25%和<3%。丰富的化学键合主导能带结构和态密度，导致多样的电子性质。
引用
@article{arxiv.1512.08693,
title = {$\pi$-bonding-dominated energy gaps in graphene oxides},
author = {Ngoc Thanh Thuy Tran and Shih-Yang Lin and Olga E. Glukhova and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.08693},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 4 figures