单晶碲化铋拓扑绝缘体中的光-塞贝克效应
介观与纳米尺度物理
2020-04-09 v1 强关联电子
摘要
碲化铋是一种具有导电表面态的小块体能带隙拓扑体系。除其优良的热电性质外,它也是宽带光电探测器的极佳候选材料。在此,我们报道了块体单晶碲化铋中温度依赖的光-塞贝克效应。在光照下,施加电偏压的样品由于塞贝克效应和样品窄层内的正常光生载流子,在测得电流中表现出可区分的贡献。我们进行了详尽实验以阐明塞贝克贡献与光生电流之间的区别。无塞贝克贡献的光电流的温度依赖关系在特定温度处出现由负到正的符号反转,该温度取决于光激发光的波长。
引用
@article{arxiv.2004.03664,
title = {Photo-Seebeck effect in single-crystalline bismuth telluride topological insulator},
author = {Anand Nivedan and Arvind Singh and Sandeep Kumar and Sunil Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03664},
year = {2020}
}