基于CMOS闪存技术、面向神经形态应用的石墨烯光控忆阻晶体管

石墨烯在许多不同的未来应用中具有巨大前景，特别是与其通过静电门控易于调控的掺杂和费米能级有关。然而，迄今为止，大多数实现依赖于通过施加连续大电压来维持所需掺杂的电学掺杂。我们在此展示了如何将石墨烯与常规半导体闪存技术结合，从而仅通过施加短栅极脉冲即可实现可编程掺杂。我们还演示了该方法如何用于存储器件，并展示了该器件潜在的神经形态能力。最后，我们表明通过用紫外辐射照射该器件可显著提升其整体性能。我们的方法可能为石墨烯在CMOS技术存储应用中的集成铺平道路，并且我们的器件设计也可能适用于大规模神经形态计算结构。