高压下 GaP 中的磷二聚化
材料科学
2017-09-21 v1
摘要
通过结合实验与计算方法，我们证明了在 43 GPa 和 1300 K 下，磷化镓采用 super-Cmcm 结构，此处以其 Pearson 符号 oS24 表示。第一性原理焓计算表明，在约 20 GPa 以上，该 oS24 结构比其他提出的多型体（如立方 ZB 和 SC16 或普遍存在的正交 Cmcm 相（oS8））在热力学上更稳定。根据我们的高分辨率结构分析，发现具有 oS24 结构的 GaP 表现出短的 P-P 键。这种在 GaP 中首次观察到并由从头计算确认的磷二聚化，阐明了 super-Cmcm 结构的本质，并为八隅体半导体的高压多型性提供了关键的新见解。除了五重磷配位外，键的方向性和各向异性解释了该高压结构相对较低的对称性。
关键词
引用
@article{arxiv.1709.06667,
title = {Phosphorous dimerization in GaP at high pressure},
author = {Barbara Lavina and Eunja Kim and Hyunchae Cynn and Philippe F. Weck and Kelly Seaborg and Emily Siska and Yue Meng and William Evans},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.06667},
year = {2017}
}