声子自能修正：屏蔽还是不屏蔽
材料科学
2023-10-19 v3 强关联电子
摘要
声子的第一性原理计算通常基于绝热近似和布里渊区采样，而这些采样可能不足以捕捉 Kohn 反常的细微之处。这些缺陷可通过来自低能电子的声子自能修正来弥补。精确自能涉及裸电子-声子顶点与屏蔽电子-声子顶点的乘积 [Rev. Mod. Phys. 89, 015003 (2017)]；然而，计算常采用两个绝热屏蔽顶点，这被提出作为自能差分的可靠近似 [Phys. Rev. B 82, 165111 (2010)]。我们评估了这两种方法在估算模型哈密顿量的声子谱函数以及单层 TaS 和掺杂 MoS 的绝热低温声子色散时的准确性。我们发现该近似方法以低计算成本给出了极佳的修正，这归因于其设计上的一阶误差抵消，而使用裸顶点原则上可改进这些结果但在实践中具有挑战性。我们提供了一种基于降维至部分屏蔽声子与相互作用的替代策略 [Phys. Rev. B 92, 245108 (2015)]。这是一种自然包含电子-电子相互作用并处理强关联材料中的声子以及电子-声子顶点频率依赖性的方案。
引用
@article{arxiv.2212.11806,
title = {Phonon Self-Energy Corrections: To Screen, or Not to Screen},
author = {Jan Berges and Nina Girotto and Tim Wehling and Nicola Marzari and Samuel Poncé},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.11806},
year = {2023}
}
备注
Published version, 26 pages, 12 figures