exact-factorization密集函数扰动方法在五烯晶体与单层MoS2中的应用
材料科学
2026-05-13 v1
摘要
电子-声子相互作用引起的非绝对效应常被Born-Oppenheimer(BO)近似忽略，后者假设电子态对核运动即时调整。exact factorization(EF)形式提供了处理此类效应的严格框架，近期已适用于密集函数理论(DFT)，在谐振极限下。建立在这些基础之上，我们先前引入了EF-based扰动方案，即EF密集函数扰动理论(EF-DFPT)，使可计算核位移至二阶的phonon驱动非绝对(NA)修正的Kohn-Sham(KS)电子态。本文实现并应用EF-DFPT至扩展周期材料，聚焦其对实验相关可观测量的影响。我们以五烯分子晶体和单层MoS2为代表的软-硬模系统，演示NA电子-声子相互作用如何修改静态介电响应。我们表明，这些修改源于NA声子包浆电子波函数与二阶NA能量重整合的共同作用。结果行为在材料间高度依赖：单层MoS2中NA效应可忽略不计，而五烯中则导致与软振动模式相关的显著远程屏蔽效应及增强的电子-声子耦合。
引用
@article{arxiv.2605.11094,
title = {Application of the exact-factorization density-functional perturbation approach to pentacene crystal and monolayer MoS2},
author = {Rachel Steinitz-Eliyahu and Galit Cohen and Guy Vosco and E. K. U. Gross and Ryan Requist and Sivan Refaely-Abramson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.11094},
year = {2026}
}