声子诱导的电子波函数重整化

Allen-Heine-Cardona 理论使我们能够从第一性原理计算声子诱导的电子自能，而无需借助绝热近似。然而，该理论未能考虑电子波函数的变化，而当带间能量差与声子诱导的电子自能相当时（如温度驱动的拓扑转变中），这一点至关重要。此外，对于没有反演对称性的材料，甚至无法利用 Allen-Heine-Cardona 理论研究此类拓扑转变的存在性。在此，我们将该理论推广到电子能量和波函数的重整化。我们的理论可以在一个简单、统一的框架中描述 Debye-Waller 自能的对角和非对角分量。作为演示，我们计算了 BiTlSe2 在拓扑转变过程中声子-电子耦合对温度依赖能带结构和隐藏自旋极化的贡献。这些量可以直接测量。我们的理论为研究有和没有反演对称性的材料中的温度诱导拓扑相变打开了一扇门。