高温下声子迁移效应
强关联电子
2007-05-23 v1 无序系统与神经网络
摘要
本文考察了半导体晶体和含有电子-声子中心(EVC)的晶体结构中随温度变化的热电功率(TEP)。TEP中存在Debye温度处的窄峰值。在薄 epitaxial 层上，这些峰值出现在基板声子的Debye温度处。这些峰值的存在无法基于已知的TEP理论解释，但可能是由声子迁移效应(PDE)解释。由此需要改变传统观点，即PDE效应仅存在于低温，需将PDE理论扩展到由EVC在高温下导致的强电子-声子耦合情形。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207218,
title = {Phonon drag of electrons at high temperatures},
author = {V. A. Vdovenkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207218},
year = {2007}
}
备注
14 pages thith 6 figures