掺杂 Mott 绝缘体中的相分离

受非整数填充下 Mott 绝缘体普遍存在的观测事实启发，我们为一级掺杂驱动 Mott 相变中的相分离构建了一个简单的热力学论证。我们展示了如何利用钛酸盐钙钛矿家族的电子结构计算来确定驱动 Mott 相变所需的临界掺杂浓度，发现结果与实验吻合良好。该理论预测该相变具有渗流特性，并应表现出库仑阻挫。