基于渐变折射率 SiGe-Si 技术的中红外阵列波导光栅中的相位误差
仪器与探测器
2021-04-28 v1 光学
摘要
在本文中，我们提出了一种用于分析中红外波段 SiGe/Si 渐变折射率阵列波导光栅（AWGs）中相位误差与功率截断的方法。本文所用的半解析模型基于模场的高斯近似与傅里叶光学。该方法被用于研究串扰水平、阵列波导中有效折射率偏差与中心波长分别为 3.4 微米、4.5 微米、5.7 微米和 7.6 微米的 AWG 中功率截断之间的关联。我们表明，有效折射率变化的影响对于工作波长较小的 AWG 更为关键，且对此类器件功率截断不应超过 5%。最后，我们参考了中心波长分别为 4.5 μm、5.7 μm 和 7.6 μm 的 AWG 的实验数据，其串扰水平为 24 dB，对应于相对有效折射率误差分别低于 2×10⁻⁵，以及器件 10 mm 长度内等效路径长度偏差低于 0.2 微米。
引用
@article{arxiv.2104.13358,
title = {Phase Errors in mid-IR Arrayed Waveguide Gratings based on graded index SiGe-Si technology},
author = {Ainur Koshkinbayeva and Regis Orobtchouk and Pierre Labeye},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.13358},
year = {2021}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1709.08922