TiN 涂层单片硅 PIN 二极管阵列在机械应力下的性能

B. A. VanDevender; L. I. Bodine; A. W. Myers; J. F. Amsbaugh; M. A. Howe; M. L. Leber; R. G. H. Robertson; K. Tolich; T. D. Van Wechel; B. L. Wall

doi:10.1016/j.nima.2012.01.033

TiN 涂层单片硅 PIN 二极管阵列在机械应力下的性能

仪器与探测器 2012-02-03 v1 核实验

作者: B. A. VanDevender , L. I. Bodine , A. W. Myers , J. F. Amsbaugh , M. A. Howe , M. L. Leber , R. G. H. Robertson , K. Tolich , T. D. Van Wechel , B. L. Wall

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摘要

卡尔斯鲁厄氚中微子实验 (KATRIN) 将探测穿过其电磁谱仪的氚 $\beta$ 衰变电子，使用的是高度分割的单片硅 PIN 二极管焦平面探测器 (FPD)。该 PIN 二极管阵列位于单块 500-{\mu}m 厚的硅片上，涂有氮化钛 (TiN) 的探测器像素与前端电子器件之间通过弹簧加载的探针 (pogo pins) 进行接触。探针将对探测器施加高达 50N 的总力，使其变形并在硅体中产生高达 50 MPa 的机械应力。我们评估了一个具有类似于 KATRIN FPD 的探针连接方案的原型 PIN 二极管阵列。我们发现探针与 TiN 形成了良好的电接触，并且未观察到可归因于机械应力的探测器分辨率或反向偏置漏电流的影响。

关键词

硅 PIN 二极管阵列钛涂层机械应力 KATRIN 实验探针探测器性能氚$\beta$衰变

引用

@article{arxiv.1202.0320,
  title  = {Performance of a TiN-coated monolithic silicon pin-diode array under mechanical stress},
  author = {B. A. VanDevender and L. I. Bodine and A. W. Myers and J. F. Amsbaugh and M. A. Howe and M. L. Leber and R. G. H. Robertson and K. Tolich and T. D. Van Wechel and B. L. Wall},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1202.0320},
  year   = {2012}
}

备注

13 pages, 7 figures

TiN 涂层单片硅 PIN 二极管阵列在机械应力下的性能

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