偶分母处部分填充朗道能级：具有Berry相位的涡旋金属
强关联电子
2018-04-13 v1 超导电性
高能物理 - 理论
摘要
我们为 处部分填充的朗道能级发展了一种涡旋金属理论，其基态包含由电子涡旋形成的复合费米面（FS）。在投影朗道能级极限下，复合费米面包含 的Berry相位。这种分数Berry相位是LL投影的结果，后者产生GMP引导中心代数，并为涡旋金属的运动方程增添反常速度。进一步，我们研究了一个每层具有 与 的粒子-空穴对称双层系统，并证明复合费米面上的 Berry相位导致PH配对双层间 背散射的抑制，这可作为探测分数Berry相位的确凿证据。我们还提及该双层系统中的各种不稳定性与竞争序，包括由量子临界性驱动的 拓扑序相。
引用
@article{arxiv.1711.03969,
title = {Partial filled Landau Level at even denominator, a vortex metal with Berry phase},
author = {Yizhi You},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.03969},
year = {2018}
}