利用 Nb 在 CVD 生长的 MoS2 中实现 p 型掺杂
材料科学
2013-10-25 v1
摘要
我们报道了在大面积 (0001) 取向化学气相沉积 (CVD) MoS2 少层薄膜中首次实现 p 型掺杂。研究发现，铌 (Nb) 在 MoS2 薄膜中可作为高效的受主，直至达到相对较高的密度。对于 cm 的空穴密度，测得霍尔迁移率为 8.5 cmVs，这与理论预期值吻合良好。XRD 和拉曼表征表明该薄膜具有良好的面外晶体质量。吸收测量显示，掺杂样品具有与高质量未掺杂样品相似的特性，在 1.8 eV 处具有清晰的吸收边。这一在大面积外延 MoS2 中实现 p 型掺杂的演示，有助于实现基于层状金属二硫化物的各种电子和光电器件。
引用
@article{arxiv.1310.6494,
title = {p-type doping in CVD grown MoS2 using Nb},
author = {M. Laskar and D. N. Nath and L. Ma and E. Lee and C. H. Lee and T. Kent and Z. Yang and Rohan Mishra and Manuel A Roldan and Juan-Carlos Idrobo and Sokrates T. Pantelides and Stephen J. Pennycook and R. Myers and Y. Wu and S. Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6494},
year = {2013}
}