抗氧化锗纳米线：体相合成、长链烷基硫醇功能化与 Langmuir-Blodgett 组装
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
开发了一种简单的方法，通过在高比表面积二氧化硅载体上负载预制的单分散种子颗粒，利用化学气相沉积合成了克级的均匀 Ge 纳米线。研究了利用烷基硫醇和烷基格氏试剂反应对 Ge 纳米线表面进行钝化的各种化学功能化方案。通过 X 射线光电子能谱阐明了不同烷基链长对锗抗氧化功能化稳定性的影响。在所有测试的方案中，发现长链烷基硫醇 (>=C12) 在长时间暴露于环境空气后能赋予 Ge 纳米线最稳定的抗氧化钝化。此外，化学功能化的抗氧化纳米线可溶于有机溶剂，并能容易地组装成密堆积的 Langmuir-Blodgett 薄膜，在未来高性能电子器件中具有潜在应用价值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507145,
title = {Oxidation Resistant Germanium Nanowires: Bulk Synthesis, Long Chain Alkanethiol Functionalization and Langmuir-Blodgett Assembly},
author = {Dunwei Wang and Ying-Lan Chang and Zhuang Liu and Hongjie Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507145},
year = {2007}
}
备注
24 pages, 8 figures. to appear in J. Am. Chem. Soc., in press