重掺铯石墨烯中平带的起源
介观与纳米尺度物理
2019-12-16 v2
摘要
材料费米能级处电子的平能带色散会导致电子系统的不稳定性，并可驱动相变。本文提出一种在二维(2D)材料中诱导平带的方法。我们表明，可通过将二维材料夹在两层铯(Cs)层之间来实现平带。我们将该方法应用于单层石墨烯，并通过角分辨光电子能谱实验与计算相结合来研究该平带。我们的工作强调，电荷转移、石墨烯能带的区折叠以及C与Cs原子间的共价键是平能带形成的起源。所提出的方法为获得平带材料提供了一条替代途径，相较于扭转双层石墨烯，其可在大面积上获得热力学稳定的平带材料。
引用
@article{arxiv.1903.09038,
title = {Origin of the flat band in heavily Cs doped graphene},
author = {N. Ehlen and M. Hell and G. Marini and E. H. Hasdeo and R. Saito and G. Di Santo and L. Petaccia and G. Profeta and A. Grüneis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09038},
year = {2019}
}
备注
22 pages, 4 Figures