半导体中高温铁磁性的起源与控制
材料科学
2008-04-03 v1
摘要
对多功能材料的广泛实验与计算搜索导致了半导体和氧化物系统（如 (Ga,Mn)N、(Zn,Cr)Te 和 HfO2）的发展，这些系统尽管磁性元素浓度很小或名义上为零，却表现出异常稳定的铁磁信号。在此，我们表明，(Zn,Cr)Te 的铁磁性及其相关的磁光和磁输运功能，主要由嵌入贫铬 (Zn,Cr)Te 基质中的富铬 (Zn,Cr)Te 金属纳米晶的形成所主导。重要的是，这些纳米晶的形成可以通过在外延生长过程中操纵 Cr 离子的电荷态来控制。这些发现为广泛半导体和氧化物中铁磁性的起源提供了见解，并指出了这些复合系统可能的功能。此外，它们展示了一种自组织纳米结构制造的自下而上方法，适用于任何其组分电荷态取决于宿主半导体费米能级位置的系统。
引用
@article{arxiv.0804.0322,
title = {Origin and control of high-temperature ferromagnetism in semiconductors},
author = {Shinji Kuroda and Nozomi Nishizawa and Koki Takita and Masanori Mitome and Yoshio Bando and Krzysztof Osuch and Tomasz Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.0322},
year = {2008}
}
备注
22 pages, 8 figures (incl. Supplementary Information)