AgInSe_2 的光电应用
材料科学
2008-02-03 v1
摘要
本文报道了AgInSe_2在光电开关中的可能应用。通过在不同温度和光照水平下测量电导和电容,在宽频率范围(5Hz至1MHz)内对该材料进行了研究。结果表明,当样品在给定温度下暴露于光辐射时,电容(C)和电导(G)均增加。开关/恢复时间根据时间常数(τ = C/G)进行了分析,发现该材料的时间常数约为微秒量级。进一步观察到,τ随光照水平和温度的升高而减小。这是可以理解的,因为光生或热生载流子的复合速率越高,τ的值应越小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707176,
title = {Opto-electronic application of AgInSe_2},
author = {D. K. Shukla and Manohar Lal and Navdeep Goyal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707176},
year = {2008}
}
备注
12 pages, 6 figures (available from gautam%[email protected]), LaTeX (to be published in Thin Solid Films)