优化渗流碳纳米管网络的晶体管性能
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
在金属性和半导体性碳纳米管混合的渗流网络中，高导通电流（密集网络）与高开关比（稀疏网络，其中金属性碳纳米管部分不形成渗流）之间存在权衡。我们对晶体管配置的器件进行了实验，并进行了蒙特卡洛模拟，以确定在导通和关断状态下，碳纳米管密度p在0.04 - 1.29 CNT/μm^2范围内时，器件电阻率随沟道长度（L）的标度行为。在W = 50 μm、L > 70 μm、p = 0.54 - 0.81 CNTs/μm^2的条件下，获得了场效应迁移率高达50 cm^2/Vs、开关比大于10^3的优化器件。
引用
@article{arxiv.1004.4009,
title = {Optimizing Transistor Performance of Percolating Carbon Nanotube Networks},
author = {V. K. Sangwan and A. Behnam and V. W. Ballarotto and M. S. Fuhrer and A. Ural and E. D. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.4009},
year = {2015}
}