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自由悬挂半导体亚微米通道的光致输运特性

介观与纳米尺度物理 2011-07-25 v1 其他凝聚态物理

作者: C. Rossler , K. -D. Hof , S. Manus , S. Ludwig , J. P. Kotthaus , J. Simon , A. W. Holleitner , D. Schuh , W. Wegscheider

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摘要

我们报道了在包含二维电子气 (2DEG) 的自由悬挂通道中观察到的光致输运现象。这些亚微米器件是通过刻蚀技术在 AlGaAs/GaAs 异质结构中制造的。器件的光响应可以理解为光栅效应与光掺杂效应的结合。由此增强的电子电导表现出在 1 到 10 毫秒范围内的时间常数。

关键词

光致输运自由悬挂通道二维电子气 2DEG AlGaAs/GaAs 异质结构光栅效应光掺杂电子电导

引用

@article{arxiv.0805.2230,
  title  = {Optically induced transport properties of freely suspended semiconductor submicron channels},
  author = {C. Rossler and K. -D. Hof and S. Manus and S. Ludwig and J. P. Kotthaus and J. Simon and A. W. Holleitner and D. Schuh and W. Wegscheider},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0805.2230},
  year   = {2011}
}