硅 T 中心的光学跃迁参数
量子物理
2024-11-12 v2
摘要
硅 T 中心狭窄的通信带光学发射、长时间自旋相干性以及直接光子集成特性，使其作为分布式量子计算和网络的自旋-光子界面材料备受关注。然而，T 中心自旋选择性光学跃迁的关键参数在文献中仍不确定或存有歧义。本文我们构建 T 中心 TX 态的哈密顿量，并从结合已发表结果、密度泛函理论和新光谱实验数据中确定从 T 到 TX 的光学跃迁关键参数。我们解决了文献中内部缺陷势的歧义值，并首次测量了电调制 T 中心发射。最终我们提供一个 T 中心在应变、电场和磁场作用下的光学和自旋性质的模型，可用于实现量子技术。
引用
@article{arxiv.2405.07144,
title = {Optical transition parameters of the silicon T centre},
author = {Chloe Clear and Sara Hosseini and Amirhossein AlizadehKhaledi and Nicholas Brunelle and Austin Woolverton and Joshua Kanaganayagam and Moein Kazemi and Camille Chartrand and Mehdi Keshavarz and Yihuang Xiong and Louis Alaerts and Oney O. Soykal and Geoffroy Hautier and Valentin Karassiouk and Mike Thewalt and Daniel Higginbottom and Stephanie Simmons},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.07144},
year = {2024}
}
备注
18 pages and 13 figures in the main manuscript with appendix included