掺杂 Mott 绝缘体的光学与磁光响应
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们在动力学平均场理论 () 框架内研究了强关联电子系统中掺杂 Mott 绝缘体的光学、Raman 和交流 Hall 响应。我们证明了光学电导率中等吸收点的出现与广义电荷极化率的频率依赖性相关。我们计算了探测“应力张量”涨落的 Raman 响应，并表明散射具有明显的非相干贡献特征。计算得到的交流 Hall 常数和 Hall 角也表现出等吸收点。还将这些结果与 下非 FL 金属的结果进行了比较。详细讨论了低能相干 (FL) 或非相干 (非 FL) 在决定 下强关联金属有限频率响应中的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907328,
title = {Optical and Magneto-optical Response of a Doped Mott Insulator},
author = {Mukul S. Laad and Luis Craco and E. Müller-Hartmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907328},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 4 figures, submitted to PRB