具有堆垛层错阵列的条纹状银薄膜上的一维表面态
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
通过向银薄膜中引入堆垛层错阵列，形成了周期为 1.3 nm 的一维条纹结构。使用低温扫描隧道显微镜研究了这种条纹状银薄膜的表面态。通过微分电导（dI/dV）测量，观测到沿纵向传播的驻波和特征谱峰，揭示了表面条纹上存在一维态。它们的形成可归因于 Ag(111) 表面态被堆垛层错量子限制成条纹。为了量化限制程度，通过独立测量估算了堆垛层错对 Ag(111) 表面态的有效势垒。具有有效势垒的单量子阱模型可以再现条纹上 dI/dV 谱的主要特征，而 Kronig-Penney 模型则无法做到。因此，本系统应被视为单个条纹上的解耦一维态，而非在条纹阵列上延伸的各向异性二维布洛赫态。
引用
@article{arxiv.1107.3896,
title = {One-dimensional surface states on a striped Ag thin film with stacking fault arrays},
author = {Takashi Uchihashi and Puneet Mishra and Katsuyoshi Kobayashi and Tomonobu Nakayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3896},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 6 figures