堆垛层错诱导的Ag(111)表面分数台阶上的强电子约束
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
我们利用低温扫描隧道显微镜确定了Ag(111)表面态在堆垛层错诱导的分数台阶处的电子反射振幅R。出乎意料的是，当能量从0增加到0.5 eV时，R仍高达0.6~0.8，这与单原子台阶处快速下降的行为形成鲜明对比[L. Bürgi等人，Phys. Rev. Lett. 81, 5370 (1998)]。基于从头算能带结构的紧束缚计算证实了实验发现。此外，发现下降SF台阶处的相移比上升台阶处的相移系统地大约0.4π。这些结果表明，亚表面SF平面对表面态的反射有显著贡献。
引用
@article{arxiv.1005.1113,
title = {Strong Electron Confinement By Stacking-fault Induced Fractional Steps on Ag(111) Surfaces},
author = {Takashi Uchihashi and Katsuyoshi Kobayashi and Tomonobu Nakayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1113},
year = {2015}
}