Fe$_2$V$_{0.8}$W$_{0.2}$Al 薄膜的结构与电子性质研究
材料科学
2020-12-02 v2
摘要
近期有报道称，薄膜形态的 FeVWAl 在 380 K 下具有极大的热电优值 ZT = 6（Hinterleitner 等，Nature 576 (2019) 85）。在此形态下，FeVWAl 实验上结晶为无序的 A2 晶体结构，不同于其块体形态结构（L21）。因此，本文报道了采用特殊准随机结构（SQS）方法生成的 A2-FeVWAl 超胞的电子结构第一性原理计算。这些计算明确表明，A2-FeVWAl 在 0 K 下为铁磁金属，在 400 K 时呈现较小的塞贝克系数（< 30 microV/K）。本结果反驳了此前为解释 FeVWAl 薄膜中 ZT = 6 而提出的费米能级处存在深伪能隙的设想。
引用
@article{arxiv.2006.11003,
title = {On the structure and electronic properties of Fe$_2$V$_{0.8}$W$_{0.2}$Al thin films},
author = {E. Alleno and A. Berche and J. -C. Crivello and A. Diack Rasselio and P. Jund},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.11003},
year = {2020}
}