量子器件描述中的非正交性问题
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们发展了一种允许包含接触区和量子点电子态非正交性修正的 метод。与正交 (OR) 与非正交表示 (NOR) 下获得的 1 维量子点 (QD) 能级与电荷分布进行比较，结果显示 NOR 在势垒上方以下能级处提供了显著改进。该方法推广到非平衡态。对通过单个势垒的隧穿电流进行了运动方程推导。给出基于 Hubbard 算子图解法推导的瞬态电流公式，用于描述具有强相关电子的 QD 与接触区电子相互作用的问题。非正交性对隧穿矩阵元及格子函数 (GFs) 的谱权重进行了修正。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111574,
title = {On the non-orthogonality problem in the description of quantum devices},
author = {J. Fransson and O. Eriksson and B. Johansson and I. Sandalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111574},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 1 table, 1 figure