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页-点排斥作为碳纳米管和嵌入石墨中的配对源

强关联电子 2009-11-07 v1 超导电性

作者: Enrico Perfetto , Gianluca Stefanucci , Michele Cini

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摘要

我们指出，不同类型的非常规超导体有一个基本共同特征：配对的本征态是无排斥的，即 $W=0$ 配对。在扩展 Hubbard 模型中，可在合理的参数值下发生配对。对于 $(N,N)$ 纳米管，配对的结合能随填充度而强烈依赖，并在 $N \to \infty$ 的石墨薄片中趋于减少但仍为非零值。

关键词

页-点排斥配对机制碳纳米管扩展 Hubbard 模型结合能

引用

@article{arxiv.cond-mat/0212122,
  title  = {On-Site Repulsion as the Source of Pairing in Carbon Nanotubes and Intercalated Graphite},
  author = {Enrico Perfetto and Gianluca Stefanucci and Michele Cini},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212122},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 2 figures