Hubbard模型中由在位排斥涨落导致的电子配对
强关联电子
2021-08-10 v2
摘要
我们将定量分析聚焦于半填充Hubbard模型中绝缘态的稳定性。考虑到在位库仑排斥的大尺度涨落（具有长弛豫时间），我们考察实现以电子配对为特征的稳定态的可能性。配对机制如下：由于电子在位排斥的涨落，作为激发态的空穴形成电子对。计算了使具电子配对的态稳定的在位库仑排斥及其涨落的裸值。所提配对机制在某种程度上类似于Wolf模型中局域磁矩的形成。计算针对链、以及方形和立方晶格进行。
引用
@article{arxiv.2007.06205,
title = {Electron pairing in the Hubbard model as a result of on-site repulsion fluctuations},
author = {Igor N. Karnaukhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.06205},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 5 figures