关于位置灵敏硅探测器的死层与探测器厚度测定
仪器与探测器
2018-03-14 v1 核实验
摘要
本工作研究了高分辨率阵列（HiRA）中位置灵敏厚硅探测器（称为“E”探测器）的两个特定性质：探测器前表面死层的厚度，以及探测器本身的总厚度。HiRA中每个E探测器的死层厚度是利用置于探测器表面附近的Pb针源所发射的α粒子测量提取的。该过程也实现了E探测器的能量校准，否则由于每个E探测器夹在两个其他探测器之间，无法进行α源校准。E探测器的厚度由弹性散射质子与能量损失计算方法相结合获得。这些分析的结果与制造商提供的值一致。
引用
@article{arxiv.1801.06181,
title = {On Determining Dead Layer and Detector Thicknesses for a Position-Sensitive Silicon Detector},
author = {J. Manfredi and Jenny Lee and W. G. Lynch and C. Y. Niu and M. B. Tsang and C. Anderson and J. Barney and K. W. Brown and Z. Chajecki and K. P. Chan and G. Chen and J. Estee and Z. Li and C. Pruitt and A. M. Rogers and A. Sanetullaev and H. Setiawan and R. Showalter and C. Y. Tsang and J. R. Winkelbauer and Z. Xiao and Z. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.06181},
year = {2018}
}
备注
Accepted for publication in Nuclear Instruments and Methods in Physics Research