2E1 Ar17+衰变与常规放射源测定半导体探测器效率
原子物理
2009-11-13 v1
摘要
尽管可靠的模型可以预测半导体探测器的探测效率，但仍需进行测量以检查制造商提供的参数，即死层、铍窗和晶体有源区的厚度。三种硅探测器在其整个光子能量探测范围内的效率已被精确研究。在0至几千电子伏特范围内，我们开发了一种基于探测亚稳态Ar17+ 2s -> 1s跃迁的2E1衰变的新方法。对2E1衰变模式能量分布的极好理论认识，使得探测器前方吸收层的精确表征成为可能。在高能范围（> 10 keV）内，探测器晶体厚度在探测效率中起主要作用，并已使用241Am源对其进行了测定。
引用
@article{arxiv.0902.3063,
title = {2E1 Ar17+ decay and conventional radioactive sources to determine efficiency of semiconductor detectors},
author = {Emily Lamour and Christophe Prigent and Benjamin Eberhardt and Jean-Pierre Rozet and Dominique Vernhet},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.3063},
year = {2009}
}