Transmon 中测量诱导跃迁的偏置电荷依赖性
量子物理
2026-01-15 v2
摘要
在超导量子处理器中实现可扩展容错性的一个关键挑战是读取保真度，它落后于单比特和双比特门保真度。改善量子比特读取的一个主要限制是测量诱导跃迁（也称为量子比特电离），由特定光子数下发生的多光子量子比特-谐振腔激发引起。由于电离可能涉及高激发态，据预测在 Transmon（最广泛使用的超导量子比特）中，发生测量诱导跃迁的光子数依赖于门电荷。预计这种依赖性在量子比特频率对门电荷不敏感的深 Transmon 区制中依然存在。我们通过在主动稳定 Transmon 门电荷的同时，表征随谐振腔光子数增加的测量诱导跃迁，在实验上证实了这一预测。此外，由于涉及高激发态，要实现理论与实验的定量一致，需要考虑 Transmon 哈密顿量中的高阶谐波。
引用
@article{arxiv.2505.00674,
title = {Offset Charge Dependence of Measurement-Induced Transitions in Transmons},
author = {Mathieu Féchant and Marie Frédérique Dumas and Denis Bénâtre and Nicolas Gosling and Philipp Lenhard and Martin Spiecker and Simon Geisert and Sören Ihssen and Wolfgang Wernsdorfer and Benjamin D'Anjou and Alexandre Blais and Ioan M. Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.00674},
year = {2026}
}
备注
16 pages, 12 figures