transmon在Schmid相变处的临界荧光
超导电性
2021-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了嵌入高阻抗电路中的transmon量子比特的非弹性微波光子散射。当阻抗达到临界值时，transmon经历电荷局域化（Schmid）相变。由于独特的transmon能级结构，荧光谱携带着相变点的特征。在较高电路阻抗下，准弹性光子散射可能占据非弹性散射截面的主要部分；我们发现了其对量子比特和电路参数的依赖关系。
引用
@article{arxiv.2012.02233,
title = {Critical fluorescence of a transmon at the Schmid transition},
author = {M. Houzet and L. I. Glazman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.02233},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 3 figures