非共振偏振光调控超薄拓扑绝缘体中的热电输运

我们研究了在频率为 $\Omega$、振幅为 $A$ 的圆偏振非共振光照射下，超薄拓扑绝缘体中的热电输运性质。我们推导了能带结构、轨道磁化强度 $M_{orb}$ 以及热导率 ($\kappa_{xy}$) 和能斯特电导率 ($\alpha_{xy}$) 的解析表达式。将光偏振从右旋反转为左旋会导致对称和反对称表面态的导带与价带发生交换，并引起 $M_{orb}$、$\alpha_{xy}$ 和 $\kappa_{xy}$ 的符号改变。改变样品厚度或 $A/\Omega$ 比值可显著增强 $M_{orb}$ 和 $\alpha_{xy}$。这些效应可通过实验观测，为光控选择性态交换激发以及热能向电能的转换提供了可能性。