Floquet耗散合成电路中无异常点的慢衰减本征模观测
经典物理
2018-12-04 v1 量子物理
摘要
我们报道了在具有合成元件的耗散Floquet电子系统中，多个慢衰减本征模出现与消失的首次实验观测。传统观念认为此类转变发生在异常点，而纯耗散系统中由避免能级交叉驱动的现象此前未被探索。值得注意的是，在我们的系统中，慢衰减本征模在无异常点的情况下出现。我们的实验装置利用一个与RLC振荡器电感耦合的LC振荡器，其中时间周期（Floquet）电感耦合与电阻热损耗可通过外部电压信号独立控制。在Floquet耗散下，我们观察到在弱耦合极限中，慢衰减本征模在极小的耗散强度下出现。在中等Floquet耦合下，观测到它们多次出现与消失。利用非对称二聚体模型，我们表明这些由纯耗散系统中避免能级交叉驱动的转变，普遍存在于静态与Floquet领域。
引用
@article{arxiv.1805.08393,
title = {Observation of slowly decaying eigenmodes without exceptional points in Floquet, dissipative, synthetic circuits},
author = {Roberto de J. León-Montiel and Mario A. Quiroz-Juárez and Jorge L. Domínguez-Juárez and Rafael Quintero-Torres and José L. Aragón and Andrew K. Harter and Yogesh N. Joglekar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.08393},
year = {2018}
}