通过RMS噪声分析观测硅单电子CMOS晶体管中的单声子介导量子输运
介观与纳米尺度物理
2020-12-30 v1
摘要
我们通过商用CMOS晶体管的电子噪声表征来探究声子介导的量子输运。由于沟道中存在单个杂质原子，该器件表现为单电子晶体管。我们利用低噪声低温CMOS跨阻放大器同时实现对单电子、单施主和单声子区域的低频噪声表征，这是标准稳定性图无法观测到的。在rms噪声测量中出现了单电子隧穿以及声子介导的特征。声子由杂质原子的产生-复合现象在高频下发射。该声子衰变与低频下的洛伦兹型噪声相关。
引用
@article{arxiv.2007.06462,
title = {Observation of single phonon-mediated quantum transport in a silicon single-electron CMOS transistor by RMS noise analysis},
author = {Stefano Bigoni and Marco L. V. Tagliaferri and Dario Tamascelli and Sebastiano Strangio and Roberto Bez and Paolo Organtini and Giorgio Ferrari and Enrico Prati},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.06462},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 3 figures, submitted to APL