压缩条件下 MoS₂ 的带隙工程
介观与纳米尺度物理
2016-05-13 v1 材料科学
强关联电子
摘要
二硫化钼（MoS₂）是 2D 纳米电子器件的有前景候选材料，其单层结构表现出直接带隙。在本工作中，我们通过基于第一性原理的密度泛函计算，研究了不同层数的 MoS₂ 在压缩和拉伸应变下的电子结构。结果表明带隙可以在实验可达的应变（即 ±0.15）下被调控。然而压缩应变可能导致屈曲，从而阻碍大压缩应变的使用。我们随后研究了压缩的稳定性，计算了导致自由悬挂纳米带在不同长度下开始屈曲的临界应变。结果表明短结构或少数层 MoS₂ 在压缩应变下可在不发生屈曲的情况下经历半导体到金属的转变。
引用
@article{arxiv.1605.00151,
title = {Observation of Dirac-Like Semi-Metallic Phase in NdSb},
author = {Madhab Neupane and M. Mofazzel Hosen and Ilya Belopolski and Nicholas Wakeham and Klauss Dimitri and Nagendra Dhakal and Jian-Xin Zhu and M. Zahid Hasan and Eric D. Bauer and Filip Ronning},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00151},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 3 figures, To appear in Journal of Physics: Condensed Matter