通过几何控制磁性纳米线实现的斜向自旋注入到石墨烯
介观与纳米尺度物理
2024-10-10 v1
摘要
我们利用磁性纳米线的几何结构，这些结构定义了对封装石墨烯通道的 1D 接触，以在极化自旋载流子中引入垂直分量。通过设计，磁性纳米线穿过该二维材料异质结构的倾斜侧面。因此，纳米线的易轴倾斜，因此在注入点附近的局部磁化是斜向的。结果，当进行非局部自旋阀门测量时，我们同时观察到开关和自旋预cession 现象，这表明自旋群具有平面内和垂直分量。通过比较这些分量的相对大小，我们量化了总自旋极化矢量的角度。提取的角度与纳米线在石墨烯界面处的角度一致，证明该效应是由器件几何造成的。这种简单的方法提供了一种基于自旋的矢量磁力学方法，为定义 2D 自旋电子器件的自旋极化提供了一种替代技术。
引用
@article{arxiv.2405.20491,
title = {Oblique spin injection to graphene via geometry controlled magnetic nanowires},
author = {Jesus C. Toscano-Figueroa and Daniel Burrow and Victor H. Guarochico-Moreira and Chengkun Xie and Thomas Thomson and Irina V. Grigorieva and Ivan J. Vera-Marun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.20491},
year = {2024}
}