数值细化群方法研究由两个非相互作用导体连接的四点量子点阵列：隧穿电导的阱电压依赖性

我们采用与两个非相互作用导体相连的四点 Hubbard 模型，研究了四点量子点阵列的基态性质。具体而言，我们从 NRG 的固定点本征值中推导出许多体相位移，从而计算了电导和量子点中的局部电荷。随着对应于阱电压的站内能 $\epsilon_d$ 的变化，电导表现出交替出现的宽峰与谷。同时，四个量子点中总电子数 $N_{\rm el}$ 由于较大的库仑相互作用 $U$，显示出量化的阶梯行为。当 $N_{\rm el}$ 为奇数时，电导的单位极限台阶是由 Kondo 效应造成的。电导的谷出现在 $N_{\rm el}$ 为偶数时，且在半填充处其宽度显著增大。可以将其视为小系统中表现出的 Mott-Hubbard 绝缘行为的一种形式。当链与导体之间的混合能 $\Gamma$ 值较大时，台阶和谷的结构会变得较弱。我们还讨论了连接四个导体的阵列的平行电导。