基于新型耗尽型 JFET 的低静态功耗互补电路技术
应用物理
2021-02-02 v1
摘要
缺乏易于实现且具低静态功耗的互补电路技术，一直限制着硅以外其他半导体材料的应用。本文提出一种基于新型耗尽型 JFET 的互补电路技术，以下称之为互补半导体（CS）电路技术。JFET 为纯半导体器件，即无需精心优化的金属氧化物半导体（MOS）栅叠层，这便于将 CS 电路技术应用于多种半导体材料，如锗和碳化硅。此外，当 CS 电路技术空闲时，偏置在不同电势的节点间既无导电通路，也无正偏 p-n 结，从而实现低静态功耗。而且，耗尽型 JFET 的工作无需引入正偏 p-n 结，意味着 CS 电路技术不限于宽禁带半导体材料、低温和/或低电压跨度。本文描述并通过仿真验证了 CS 逻辑的工作。
引用
@article{arxiv.2102.00219,
title = {Novel depletion mode JFET based low static power complementary circuit technology},
author = {Artto Aurola and Vladislav Marochkin and Mika Laiho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.00219},
year = {2021}
}
备注
23 pages, 18 figures