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关于URu_2Si_2隐藏有序态电阻率各向异性的注记

强关联电子 2015-05-18 v1 超导电性

摘要

在假设隐藏有序态为具有Γ5\Gamma_{5} (Qz(x+y)Q_{z(x+y)}Qz(xy)Q_{z(x-y)})对称性的反铁四极矩有序的前提下,解释了URu_2Si_2隐藏有序相中电阻率温度依赖性的各向异性(ρcT2\rho_{c}\propto T^{2}ρabT\rho_{ab}\propto T)。

关键词

引用

@article{arxiv.1001.3516,
  title  = {Note on Anisotropy of Resistivity in Hidden Ordered State of URu_2Si_2},
  author = {K. Miyake and J. Flouquet},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1001.3516},
  year   = {2015}
}

备注

Accepted for publication in J. Phys. Soc. Jpn. vol.79 (2010), No.3 (March issue); 6 pages, 3 figures