$g$ 波列变磁材料中的非线性应力磁效应

我们理论地研究了在 $g$ 波列变磁材料中由静应变诱导净磁化的机制，这类材料在无相对论自旋轨道耦合的平行自旋纹理下表现出对称的自旋分裂能带结构。通过分析二维四方晶体系中的紧束缚模型，我们发现 $g$ 波列变磁材料会产生非线性应力磁效应，即净磁化由二阶应变引起。我们将 $g$ 波列变磁材料的结果与 $d$ 波列变磁材料进行比较，后者中发生线性应力磁效应。结果表明，当费米能级位于具有大自旋分裂的能带上时，诱导磁化强度在两种情况下都得到增强。我们也指出，诱导磁化强度的大小彼此之间相当。我们的研究表明，非线性应力磁效应是 characterize $g$ 波列变磁材料物理性质的良好现象。