配体介导的反磁性自旋分裂起源

反磁性材料拥有自旋分裂的电子能带，尽管净磁化为零，为自传导技术提供了新的路径，超越传统铁磁体。我们超越基于对称性的分类，这些分类指定了允许的术语但不确定其层次结构；本文利用第一性原理计算和瓦纳赫哈斯基金工程，揭示了Co$_{1/4}$NbSe$_2中反磁性自旋分裂的微观键合贡献。我们表明，分裂由短程紧束缚模型捕获，确立了其局部来源。通过选择性控制 hopping 通道，我们证明，主导贡献并非来自直接的磁性离子 hopping，而是来自配体介导的杂化，这将各向异性传递给它inerant 状态。这确定了配体助力耦合作为反磁性自旋分裂的关键机制，并为从微观模型到基于对称性的第一性原理材料搜索之间提供了微观桥梁，实现对反磁性功能的实空间设计。