利用激光场超快调控 g 波交错磁体中的净磁化强度
材料科学
2026-02-17 v1 计算物理
摘要
d/g/i 波交错磁体（AM）中多样的节点自旋结构可能导致不同的光致自旋响应，但人们对此仍知之甚少。利用含时密度泛函理论（TDDFT），我们揭示了 g 波交错磁体 CrSb 中激光诱导的超快退磁动力学强烈地受激光入射方向的控制。在沿 [0001] 轴的法向入射下，两个 Cr 子晶格表现出对称的时间退磁行为，但幅度不同，从而保持了净零磁化强度，这与 d 波交错磁体中的行为不同。然而，非垂直入射会在子晶格之间诱导出显著的不对称退磁，瞬态地将系统驱动到具有可观净磁化强度的亚铁磁态。这种依赖于方向响应的产生源于体相 g 波交错磁体电子结构中特有的节点结构，它使得各向异性的光学位点间自旋转移（OISTR）成为可能。通过比较 g 波和 d 波交错磁体，我们提出当激光偏振与电子结构中的自旋非补偿区域对齐时，会产生光致磁化强度。这可以通过沿特定能带路径的局域自旋态密度轻松确定。我们的结果为交错磁体中激光诱导的超快动力学提供了基础性的理解。
引用
@article{arxiv.2509.14991,
title = {Ultrafast controlling net magnetization in g-wave altermagnets via laser fields},
author = {Zhaobo Zhou and Sangeeta Sharma and Junjie He},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.14991},
year = {2026}
}