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四层菱方堆叠石墨烯中的非阿贝尔Fibonacci量子霍尔态

介观与纳米尺度物理 2023-10-10 v2 强关联电子

摘要

已知在磁场BB下,nn层菱方堆叠石墨烯可实现具有相同自旋-谷量子数的nn重简并朗道能级。我们发现,若无量纲比值η=γ1/(vF2eB/c)9/B[Tesla]1\eta = \gamma_1/(v_F\sqrt{2e\hbar B/c}) \approx 9/\sqrt{B[\text{Tesla}]} \gg 1(其中γ1\gamma_1为层间跃迁能,vFv_F为单层石墨烯费米速度),则简并朗道能级的波函数集中于多层石墨烯的表面层。这使我们可提出:1)在磁场B[2,9]B \in [ 2 , 9] Tesla的三层石墨烯中可实现具有Ising任意子的填充分数ν=12\nu=\frac12(或νn=512\nu_n = 5\frac12)非阿贝尔态;2)在磁场B[5,9]B \in [ 5 , 9] Tesla的四层石墨烯中可实现具有Fibonacci任意子的填充分数ν=23\nu=\frac23(或νn=713\nu_n = 7\frac13)非阿贝尔态。此处ν\nu为简并朗道能级中的总填充分数,νn\nu_n为从电荷中性点起算、决定实测霍尔电导的填充分数。为得到上述结果,我们假定以下条件:Coulomb相互作用的交换效应使简并朗道能级中的SU(4)SU(4)自旋-谷量子数极化,且有效介电常数ϵ10\epsilon \gtrsim 10以减弱Coulomb相互作用。多层石墨烯的高态密度有助于通过屏蔽减弱Coulomb相互作用。

关键词

引用

@article{arxiv.2308.09702,
  title  = {Non-Abelian Fibonacci quantum Hall states in 4-layer rhombohedral stacked graphene},
  author = {Abigail Timmel and Xiao-Gang Wen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2308.09702},
  year   = {2023}
}

备注

5 pages, 2 figure